NEW PRODUCT · SiC MOSFET 先之科半导体推出 750V 9.5mΩ Gen2P SiC MOSFET 工业高可靠 ＋ 车规级双适配 国产碳化硅新升级 · 高耐压 · 低损耗 · 宽温稳定 |
| 随着新能源储能、光伏逆变、车载电源、大功率工业设备不断升级，市场对功率器件的低损耗、高频稳定性、高温可靠性要求越来越严苛。传统 SiC 器件普遍存在导通电阻偏高、高频容易振荡、高温性能衰减大、可靠性不足等问题，难以满足现阶段大功率整机高效化、小型化的设计需求。 |
为解决行业大功率应用痛点，先之科半导体基于自研第二代 A2 平面栅碳化硅工艺平台，正式推出全新大功率器件 SCRT009N75PA2。这款器件面向工业高频场景做了性能优化，可适配车规级应用工况，为国产 SiC 器件高可靠替代提供更优质选择。
| 产品简介 | |||
SCRT009N75PA2 是一款 750V N 沟道 SiC MOSFET，采用 TO-247-4 开尔文源极封装，典型导通电阻 9.5mΩ。
器件基于先之科第二代（A2）优化平面栅碳化硅工艺开发，拥有大电流承载能力、优秀高频开关特性与高可靠性，芯片集成 SiC 体二极管，可简化外围电路，适合储能 PCS、光伏逆变器、车载 OBC、工业大功率电源等大功率变换场景。
| KEY PARAMETERS · 关键参数 | |
| 型号 | SCRT009N75PA2 |
| 器件类型 | 750V N 沟道 SiC MOSFET |
| 封装形式 | TO-247-4 开尔文源极 |
| 工艺平台 | Gen2P（A2）优化平面栅 |
| 导通电阻 | 9.5mΩ 典型 / 13mΩ 最大 |
| 连续电流 | 147A（25℃） / 104A（100℃） |
| 峰值电流 | 608A |
| 结壳热阻 | 低至 0.36℃/W |
| 工作温区 | -55℃ ~ 175℃ |
| 体二极管 | 芯片内置 SiC 体二极管 |
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图 1. SiC MOSFET 输出特性 Tj=25℃，VGS=18V，典型器件 Rds(on)=9.5mΩ |
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图 2. 归一化导通电阻-结温特性 VGS=18V，ID=80A |
图 1 和图 2 分别展示了该器件室温输出特性以及导通电阻随温度变化曲线。在室温条件下，器件典型导通电阻为 9.5mΩ（测试条件：Tj=25℃，VGS=18V），漏源击穿电压不低于 750V。
本产品依托自研 Gen2P 第二代优化平面栅碳化硅工艺，优化芯片内部电流通路，平衡沟道电阻与漂移区电阻，实现优异的电阻温度系数。测试结果表明器件在 175℃ 高温下导通电阻约为室温阻值的 1.4 倍左右。
| 产品核心亮点 | |||
相较于市面同等级 750V SiC 器件，先之科 SCRT009N75PA2 在损耗控制、高频性能、载流能力与可靠性上全面升级，核心优势简洁凝练如下：
01 低导通电阻，高效降本
典型导通电阻仅 9.5mΩ（最大 13mΩ），同级损耗表现优异，有效降低设备重载导通损耗，减少整机发热，精简散热配置，帮助设备实现提效降本。
02 超大载流能力，适配大功率工况
具备 147A（25℃）、104A（100℃）连续大电流能力，608A 峰值耐受电流，电流冗余充足，可稳定适配储能、光伏、工业大功率设备长期重载运行。
03 开尔文封装，高频运行更稳定
采用 TO-247-4 开尔文源极封装，分离功率与信号源极，大幅降低寄生电感，从硬件层面抑制高频开关振荡、优化 EMI 性能，适配高频拓扑设计，设备运行更稳定。
04 平面栅工艺，可靠性更好
依托先之科 Gen2P 第二代平面栅工艺，芯片电场分布均匀、栅氧应力小，具备优异的高温抗老化、雪崩与短路耐受能力，可适配工业严苛工况及车载项目高可靠评估需求。
05 优异散热性能，宽温稳定运行
结壳热阻低至 0.36℃/W，散热效率优异，搭配 -55℃~175℃ 超宽工作温区，设备高温满载运行温升可控、参数漂移小，长期运行稳定性大幅提升。
| 适配应用场景 | |||
储能设备 大功率储能 PCS、储能双向变流器、储能大功率充放电模块，长期满载运行更稳定、温升更低、效率更高。 | 车载应用（车规适配） 新能源 400V 平台车载 OBC、高压 DC-DC 变换器，高频特性好、可靠性高，满足车载严苛工况评估需求。 |
光伏新能源 大功率光伏逆变器、光储一体机，有效降低整机损耗，提升发电效率。 | 工业大功率设备 高端工业高频电源、大功率 DC-DC、电机驱动、大功率充电设备，适配高频、大功率、长时间连续工作场景。 |
| 工艺优势解析：平面栅为何更适合大功率高可靠场景 | |||
目前行业 SiC 主要分为沟槽栅与平面栅两大路线，两者定位完全不同。
| 对比维度 | 沟槽栅 | 先之科 A2 平面栅 |
| 阻值 / 面积 | 阻值更低、芯片面积更小 | 兼顾阻值与电流承载能力 |
| 电场分布 | 沟槽侧壁电场集中、栅氧应力大 | 电场分布均匀，无侧壁集中应力 |
| 可靠性 | 高温、短路、长期老化、频繁冲击工况下偏弱 | 栅氧更耐用，抗雪崩、抗短路、抗高温老化能力更强 |
| 适用场景 | 轻载、常温、普通消费及低端工业场景 | 大功率、车载、高端工业及新能源项目 |
先之科 A2 平面栅工艺，是当前大功率、车载、高端工业 SiC 的主流可靠方案。全温域稳定性、批量一致性、长期运行可靠性远优于沟槽结构，更适合高端新能源及车载项目。
| 产品总结 | |||
先之科 SCRT009N75PA2 750V SiC MOSFET，是一款专为大功率、高效率、高可靠场景量身打造的新一代碳化硅器件。
凭借 9.5mΩ 超低导通电阻、开尔文高频封装、超大电流能力、优秀散热、高可靠平面栅工艺五大核心优势，可有效解决传统器件损耗大、易发热、高频不稳、可靠性不足等痛点，为储能、光伏、工业大功率、车载电源提供高性能国产替代方案。
| 核心优势 | 关键指标 | 带来的价值 |
| 低导通电阻 | 9.5mΩ 典型 | 降低重载导通损耗，减少发热与散热配置 |
| 超大载流 | 147A 连续 / 608A 峰值 | 电流冗余充足，长期重载运行稳定 |
| 开尔文封装 | TO-247-4 四脚 | 抑制高频振荡、优化 EMI 表现 |
| 优异散热 | Rth(j-c) 0.36℃/W | 高温满载温升可控、参数漂移小 |
| 平面栅工艺 | Gen2P（A2）平台 | 高温抗老化、雪崩与短路耐受能力更强 |
关于先之科半导体 先之科半导体始创于1991年，总部位于广东东莞，主营半导体分立器件及电源管理IC的研发、制造及销售。公司产品覆盖二极管、三极管、保护器件、MOSFET、IGBT、SiC器件及PMIC等系列，可为客户提供从标准器件到功率平台的多品类选择。 |
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