P60V MOSFET 系列覆盖 DFN5060 与 TO-252 两种主流封装，共 3 个料号，面向车载高压转低压、大电流持续工作的DC-DC 与 BMS 电源管理场景，在导通损耗、开关损耗与温升之间取得平衡。

DFN5060 与 TO-252 两种封装形式　·　适配车载大功率应用

先之科半导体近日推出一系列用于汽车电子的 P60V MOSFET 产品，拥有优异的导通电阻 Rds(on) 与极低栅极电荷 Qg，有效降低导通损耗与开关损耗，支持更高频率 PWM 控制与快速动态响应；同时优化 MOS 产品 EAS 能力，大幅提升车载工况长期可靠性。

低导通电阻意味着同等电流下发热更少，直接换来更高的效率与更低的温升；低栅极电荷则意味着更短的开关时间与更低的开关损耗，为高频 PWM 控制留出裕量。两者叠加，使器件在车载「长时间＋大电流＋高温」工况下仍能维持稳定工作。

01  SGT 工艺，内阻更低

采用先进 SGT 工艺技术，沟槽栅结构优化沟道与漂移区电阻分配，内阻更低、开关特性优异，同等封装尺寸下可承载更大电流。

02  DFN5060 / TO-252 主流封装

采用 DFN5060、TO-252 两种主流封装形式：DFN5060 底部散热面积大、热阻低，适合高功率密度位置；TO-252 贴片工艺成熟、便于产线贴装与维修，适合常规位置。两种封装共用同一套电气规格，便于设计端灵活选型。

DFN5060 封装　·　底部散热结构，热阻低，适合高功率密度位置

03  Tj(max)=175℃，散热控温

工作结温 Tj(max)=175℃，出色的散热性能与优异的温升表现。宽温区设计为车载工况预留了充足的余量，高温满载时参数漂移小、长期运行稳定性好。

注：Rds10V 为 VGS=10V 条件下的导通电阻；表中型号均为 N 沟道。测试条件与完整规格以官方 datasheet 为准。

P60V MOSFET 系列以「低阻降损 + 散热控温」为核心，通过 SGT 工艺与主流封装组合，为汽车电子电源与电池管理系统提供稳定、可靠的功率器件选择。