采用符合 AEC-Q101 标准的车规级工艺，提供 SiC MOSFET、IGBT、功率二极管全系列器件，覆盖主驱逆变、车载充电、电池管理与热管理系统，以低导通损耗、高抗扰能力支撑新能源汽车高效安全运行。
覆盖了光伏逆变、储能 PCS、直流充电桩全场景，布局 650V-1500V 全电压等级功率器件。凭借低 Qrr/Trr 先进工艺与 TOLT、双面散热等高功率密度封装，破解行业痛点，提供性能对标国际的国产化能源转换解决方案。
面向伺服电机、工业变频、工控安防等场景，推出 TO-263T 顶部散热 IGBT、整流桥及全系列小信号器件。强抗干扰、宽温耐受、长寿命稳定，覆盖电源、信号、驱控全链路，保障工业设备在严苛环境下持续可靠运转。
致力为全球领先的半导体制造商，专注于半导体分立器件研发、制造及销售。生产地址位于广东省东莞市．拥有的工业园占地面积约40,000平方米（约60亩），建筑面超过60,000平方米，员工超过1300名。
1991年
品牌始于1300+
员工人数12386万元
注册资本267+
授权专利
Global
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